有机化学气相沉积设备是以高纯金属有机源为原材料，高纯氧气为氧化剂，以气态方式通入反应腔室，外延生长氧化物薄膜材料。目前已有的高纯有机金属源材料有Zn源、Sn源、Ti源、Ga源等。设备技术参数如下：反应腔室参数：极限真空：2×10-6 Pa；本底真空：小于8×10-3 Pa；生长温度：室温-850℃；反应室压强：1Torr-100Torr；样品要求：不大于40mm×40mm×1mm基片。
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