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微纳制备与加工
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感应耦合等离子体化学气相沉积系统（ICPECVD）
发布日期：2022-03-15 14:10 点击次数：


沉积二氧化硅、氮化硅薄膜；
沉积速率：≥ 15 nm/min；样品尺寸：≤4英寸；
ICP功率：1200W；温度范围：室温~350℃；
本底真空 ≤ 1 × 10-5 Pa。

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