干法刻蚀系统，用于半导体等材料的干法刻蚀，目前可以刻蚀的材料：IGZO, InGaAs, GaAs, InP, GaN, SiO2等。
8路工艺气体气路：CH4、H2、BCl3、SiCl4、O2、SF6、CHF3、Ar可以刻蚀的材料：IGZO、InGaAs、GaAs、InP、GaN、SiO2，已有刻蚀参数，其他材料需提供刻蚀参数；
ICP功率：≤3000W；RF功率：≤100W
样品要求：样品尺寸小于3英寸
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