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微纳制备与加工
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紫外曝光系统
发布日期：2022-03-15 08:47 点击次数：

光刻胶紫外曝光和套刻曝光，配有高可靠和高精度的对准系统，同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力。

1． 主要技术指标

（1）两种紫外光源：365 nm（功率密度～14 mW/cm2）， 405 nm（功率密度～15 mW/cm2）.

（2）四种接触模式： Soft contact, Hard contact, Vacuum contact, Low vacuum contact.

（3）Mask Holder兼容3– 4寸的光刻版.

2． 样品要求

样品尺寸小于4 英寸

 

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